Beschreibung
ire Silicon, SiAF Insulation: Silicon Operation Voltage: 500 V Test Voltage: 2000 V Operating temperatures: –50 bis +180 °C Packing:: 5 m Cross-Section: 0,5 mm² Outer Diameter: 2,1 mm Stranded wire structure: 16 x 0,20 mm, tinned copper
| Draad dikte | 20 AWG (0,5mm) |
|---|---|
| Draadkern | Litzedraad (Stranded) |
| Draad omhulsel | Siliconen |
| Merk | Tonefactory |
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